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单片机5V转3.3V电平的19种方法技巧

玩转单片机 2018-03-26 14:51 次阅读

技巧一:使用LDO稳压器,从5V电源向3.3V系统供电

标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地转换为 3.3V,就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 (Low Dropout, LDO)稳压器,是此类应用的理想选择。图 1-1 是基本LDO 系统的框图,标注了相应的电流。从图中可以看出, LDO 由四个主要部分组成:

1. 导通晶体管

2. 带隙参考源

3. 运算放大器

4. 反馈电阻分压器

在选择 LDO 时,重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数,将会得到最优的设计。

LDO的静态电流IQ是器件空载工作时器件的接地电流 IGND。 IGND 是 LDO 用来进行稳压的电流。当IOUT>>IQ 时, LDO 的效率可用输出电压除以输入电压来近似地得到。然而,轻载时,必须将 IQ 计入效率计算中。具有较低 IQ 的 LDO 其轻载效率较高。轻载效率的提高对于 LDO 性能有负面影响。静态电流较高的 LDO 对于线路和负载的突然变化有更快的响应。

技巧二:采用齐纳二极管的低成本供电系统

这里详细说明了一个采用齐纳二极管的低成本稳压幸运28器方案。

可以用齐纳二极管和电阻做成简单的低成本 3.3V稳压器,如图 2-1 所示。在很多应用中,该电路可以替代 LDO 稳压器并具成本效益。但是,这种稳压器对负载敏感的程度要高于 LDO 稳压器。另外,它的能效较低,因为 R1 和 D1 始终有功耗。R1 限制流入D1 和 PICmicro® MCU的电流,从而使VDD 保持在允许范围内。由于流经齐纳二极管的电流变化时,二极管的反向电压也将发生改变,所以需要仔细考虑 R1 的值。

R1 的选择依据是:在最大负载时——通常是在PICmicro MCU 运行且驱动其输出为高电平时——R1上的电压降要足够低从而使PICmicro MCU有足以维持工作所需的电压。同时,在最小负幸运28载时——通常是 PICmicro MCU 复位时——VDD 不超过齐纳二极管的额定功率,也不超过 PICmicro MCU的最大 VDD。

技巧三:采用3个整流二极管的更低成本供电系统

图 3-1 详细说明了一个采用 3 个整流二极管的更低成本稳压器方案。

我们也可以把几个常规开关二极管串联起来,用其正向压降来降低进入的 PICmicro MCU 的电压。这甚至比齐纳二极管稳压器的成本还要低。这种设计的电流消耗通常要比使用齐纳二极管的电路低。

所需二极管的数量根据所选用二极管的正向电压而变化。二极管 D1-D3 的电压降是流经这些二极管的电流的函数。连接 R1 是为了避免在负载最小时——通常是 PICmicro MCU 处于复位或休眠状态时——PICmicro MCU VDD 引脚上的电幸运28压超过PICmicro MCU 的最大 VDD 值。根据其他连接至VDD 的电路,可以提高R1 的阻值,甚至也可能完全不需要 R1。二极管 D1-D3 的选择依据是:在最大负载时——通常是 PICmicro MCU 运行且驱动其输出为高电平时——D1-D3 上的电压降要足够低从而能够满足 PICmicro MCU 的最低 VDD 要求。

技巧四:使用开关稳压器,从5V电源向3.幸运283V系统供电

如图 4-1 所示,降压开关稳压器是一种基于电感的转换器,用来把输入电压源降低至幅值较低的输出电压。输出稳压是通过控制 MOSFET Q1 的导通(ON)时间来实现的。由于 MOSFET 要么处于低阻状态,要么处于高阻状态(分别为 ON 和OFF),因此高输入源电压能够高效率地转换成较低的输出电压。

当 Q1 在这两种状态期幸运28间时,通过平衡电感的电压- 时间,可以建立输入和输出电压之间的关系。

对于 MOSFET Q1,有下式:

在选择电感的值时,使电感的最大峰 - 峰纹波电流等于最大负载电流的百分之十的电感值,是个很好的初始选择。

在选择输出电容值时,好的初值是:使 LC 滤波器特性阻抗等于负载电阻。这样在满载工作期间如果突然卸掉负载,电压过冲能处于可接受范围之内。

在选择二极管 D1 时,应选择额定电流足够大的元件,使之能够承受脉冲周期 (IL)放电期间的电幸运28感电流。

数字连接

在连接两个工作电压不同的器件时,必须要知道其各自的输出、输入阈值。知道阈值之后,可根据应用的其他需求选择器件的连接方法。表 4-1 是本文档所使用的输出、输入阈值。在设计连接时,请务必参考制造商的数据手册以获得实际的阈值电平。

技巧五:3.3V →5V直接连接

将 3.3V 输出连接到 5V 输入最简单、最理想的方法是直接连接。直接连接需要满足以下 2 点要求:

• 3.3V输出的 VOH 大于 5V 输入的 VIH

• 3.3V输出的 VOL 小于 5V 输入的 VIL

能够使用这种方法的例子之一是将 3.3V LVCMOS输出连接到 5V TTL 输入。从表 4-1 中所给出的值可以清楚地看到上述要求均满足。

3.3V LVCMOS 的 VOH (3.0V)大于5V TTL 的VIH (2.0V)

3.3V LVCMOS 的 VOL (0.5V)小于 5V TTL 的VIL (0.8V)。

如果这两个要求得不到满足,连接两个部分时就需要额外的电路。可能的解决方案请参阅技巧 6、7、 8 和 13。

技巧六:3.3V→5V使用MOSFET转换器

如果 5V 输入的 VIH 比 3.3V CMOS 器件的 VOH 要高,则驱动任何这样的 5V 输入就需要额外的电路。图 6-1 所示为低成本的双元件解决方案。

在选择 R1 的阻值时,需要考虑两个参数,即:输入的开关速度和 R1 上的电流消耗。当把输入从 0切换到 1 时,需要计入因 R1 形成的 RC 时间常数而导致的输入上升时间、 5V 输入的输入容抗以及电路板上任何的杂散电容。输入开关速度可通过下式计算:

由于输入容抗和电路板上的杂散电容是固定的,提高输入开关速度的惟一途径是降低 R1 的阻值。而降低 R1 阻值以获取更短的开关时间,却是以增大5V 输入为低电平时的电流消耗为代价的。通常,切换到 0 要比切换到 1 的速度快得多,因为 N 沟道 MOSFET 的导通电阻要远小于 R1。另外,在选择 N 沟道 FET 时,所选 FET 的VGS 应低于3.3V 输出的 VOH。

技巧七:3.3V→5V使用二极管补偿

表 7-1 列出了 5V CMOS 的输入电压阈值、 3.3VLVTTL 和 LVCMOS 的输出驱动电压。

从上表看出, 5V CMOS 输入的高、低输入电压阈值均比 3.3V 输出的阈值高约一伏。因此,即使来自 3.3V 系统的输出能够被补偿,留给噪声或元件容差的余地也很小或者没有。我们需要的是能够补偿输出并加大高低输出电压差的电路。

输出电压规范确定后,就已经假定:高输出驱动的是输出和地之间的负载,而低输出驱动的是 3.3V和输出之间的负载。如果高电压阈值的负载实际上是在输出和 3.3V 之间的话,那么输出电压实际上要高得多,因为拉高输出的机制是负载电阻,而不是输出三极管。

如果我们设计一个二极管补偿电路 (见图 7-1),二极管 D1 的正向电压 (典型值 0.7V)将会使输出低电压上升,在 5V CMOS 输入得到 1.1V 至1.2V 的低电压。它安全地处于 5V CMOS 输入的低输入电压阈值之下。输出高电压由上拉电阻和连至3.3V 电源的二极管 D2 确定。这使得输出高电压大约比 3.3V 电源高 0.7V,也就是 4.0 到 4.1V,很安全地在 5V CMOS 输入阈值 (3.5V)之上。

注: 为了使电路工作正常,上拉电阻必须显著小于 5V CMOS 输入的输入电阻,从而避免由于输入端电阻分压器效应而导致的输出电压下降。上拉电阻还必须足够大,从而确保加载在 3.3V 输出上的电流在器件规范之内。

技巧八:3.3V→5V使用电压比较器

比较器的基本工作如下:

• 反相 (-)输入电压大于同相 (+)输入电压时,比较器输出切换到 Vss。

• 同相 (+)输入端电压大于反相 (-)输入电压时,比较器输出为高电平。

为了保持 3.3V 输出的极性, 3.3V 输出必须连接到比较器的同相输入端。比较器的反相输入连接到由 R1 和 R2 确定的参考电压处,如图 8-1 所示。

计算 R1 和 R2

R1 和 R2 之比取决于输入信号的逻辑电平。对于3.3V 输出,反相电压应该置于VOL 与VOH之间的中点电压。对于 LVCMOS 输出,中点电压为幸运28:

如果 R1 和 R2 的逻辑电平关系如下,

若 R2 取值为 1K,则 R1 为 1.8K。

经过适当连接后的运算放大器可以用作比较器,以将 3.3V 输入信号转换为 5V 输出信号。这是利用了比较器的特性,即:根据 “反相”输入与 “同相”输入之间的压差幅值,比较器迫使输出为高(VDD)或低 (Vss)电平。

注: 要使运算放大器在 5V 供电下正常工作,输出必须具有轨到轨驱动能力。

技巧九:5V→3.3V直接连接

通常 5V 输出的 VOH 为 4.7 伏, VOL 为 0.4 伏;而通常 3.3V LVCMOS 输入的 VIH 为 0.7 x VDD, VIL为 0.2 x VDD。

当 5V 输出驱动为低时,不会有问题,因为 0.4 伏的输出小于 0.8 伏的输入阈值。当 5V 输出为高时, 4.7 伏的 VOH 大于 2.1 伏 VIH,所以,我们可以直接把两个引脚相连,不会有冲突,前提是3.3V CMOS 输出能够耐受 5 伏电压。

如果 3.3V CMOS 输入不能耐受 5 伏电压,则将出现问题,因为超出了输入的最大电压规范。可能的解决方案请参见技巧 10-13。

技巧十:5V→3.3V使用二极管钳位

很多厂商都使用钳位二极管来保护器件的 I/O 引脚,防止引脚上的电压超过最大允许电压规范。钳位二极管使引脚上的电压不会低于 Vss 超过一个二极管压降,也不会高于 VDD 超过一个二极管压降。要使用钳位二极管来保护输入,仍然要关注流经钳位二极管的电流。流经钳位二极管的电流应该始终比较小 (在微安数量级上)。如果流经钳位二极管的电流过大,就存在部件闭锁的危险。由于5V 输出的源电阻通常在 10Ω 左右,因此仍需串联一个电阻,限制流经钳位二极管的电流,如图 10-1所示。使用串联电阻的后果是降低了输入开关的速度,因为引脚 (CL)上构成了 RC 时间常数。

如果没有钳位二极管,可以在电流中添加一个外部二极管,如图 10-2 所示。

技巧十:一5V→3.3V有源钳位

使用二极管钳位有一个问题,即它将向 3.3V 电源注入电流。在具有高电流 5V 输出且轻载 3.3V 电源轨的设计中,这种电流注入可能会使 3.3V 电源电压超过 3.3V。为了避免这个问题,可以用一个三极管来替代,三极管使过量的输出驱动电流流向地,而不是 3.3V 电源。设计的电路如图 11-1 所示。

Q1的基极-发射极结所起的作用与二极管钳位电路中的二极管相同。区别在于,发射极电流只有百分之几流出基极进入 3.3V 轨,绝大部分电流都流向集电极,再从集电极无害地流入地。基极电流与集电极电流之比,由晶体管的电流增益决定,通常为10-400,取决于所使用的晶体管。

技巧十二:5V→3.3V电阻分压器

可以使用简单的电阻分压器将 5V 器件的输出降低到适用于 3.3V 器件输入的电平。这种接口的等效电路如图 12-1 所示。

通常,源电阻 RS 非常小 (小于 10Ω),如果选择的 R1 远大于RS 的话,那么可以忽略 RS 对 R1 的影响。在接收端,负载电阻 RL 非常大 (大于500 kΩ),如果选择的R2远小于RL的话,那么可以忽略 RL 对 R2 的影响。

在功耗幸运28和瞬态时间之间存在取舍权衡。为了使接口电流的功耗需求最小,串联电阻 R1 和 R2 应尽可能大。但是,负载电容 (由杂散电容 CS 和 3.3V 器件的输入电容 CL 合成)可能会对输入信号的上升和下降时间产生不利影响。如果 R1 和 R2 过大,上升和下降时间可能会过长而无法接受。

如果忽略 RS 和 RL 的影响,则确定 R1 和 R2 的式子由下面的公式 12-1 给出。

公式 12-2 给出了确定上升和下降时间的公式。为便于电路分析,使用戴维宁等效计算来确定外加电压 VA 和串联电阻R。戴维宁等效计算定义为开路电压除以短路电流。根据公式 12-2 所施加的限制,对于图 12-1 所示电路,确定的戴维宁等效电阻 R 应为 0.66*R1,戴维宁等效电压 VA 应为0.66*VS。

例如,假设有下列条件存在:

&幸运28bull; 杂散电容 = 30 pF

• 负载电容 = 5 pF

• 从 0.3V 至 3V 的最大上升时间 ≤ 1 μs

• 外加源电压 Vs = 5V

确定最大电阻的计算如公式 12-3 所示。

技巧十三:3.3V→5V电平转换器

尽管电平转换可以分立地进行,但通常使用集成解决方案较受欢迎。电平转换器的使用范围比较广泛:有单向和双向配置、不同的电压转换和不同的速度,供用户选择最佳的解决方案。

器件之间的板级通讯 (例如, MCU 至外设)通过 SPI 或 I2C™ 来进行,这是最常见的。对于SPI,使用单向电平转换器比较合适;对于 I2C,就需要使用双向解决方案。下面的图 13-1 显示了这两种解决方案。

模拟

3.3V 至 5V 接口的最后一项挑战是如何转换模拟信号,使之跨越电源障碍。低电平信号可能不需要外部电路,但在 3.3V 与 5V 之间传送信号的系统则会受到电源变化的影响。例如,在 3.3V 系统中,ADC转换1V峰值的模拟信号,其分辨率要比5V系统中 ADC 转换的高,这是因为在 3.3V ADC 中,ADC 量程中更多的部分用于转换。但另一方面,3.3V 系统中相对较高的信号幅值,与系统较低的共模电压限制可能会发生冲突。

因此,为了补偿上述差异,可能需要某种接口电路。本节将讨论接口电路,以帮助缓和信号在不同电源之间转换的问题。

技幸运28巧十四:3.3V→5V模拟增益模块

从 3.3V 电源连接至 5V 时,需要提升模拟电压。33 kΩ 和 17kΩ 电阻设定了运放的增益,从而在两端均使用满量程。11 kΩ 电阻限制了流回 3.3V 电路的电流。

技幸运28巧十五:3.3V→5V模拟补偿模块

该模块用于补偿 3.3V 转换到 5V 的模拟电压。下面是将 3.3V 电源供电的模拟电压转换为由 5V电源供电。右上方的 147 kΩ、 30.1 kΩ 电阻以及+5V 电源,等效于串联了 25 kΩ 电阻的 0.85V 电压源幸运28。这个等效的 25 kΩ 电阻、三个 25 kΩ 电阻以及运放构成了增益为 1 V/V 的差动放大器。 0.85V等效电压源将出现在输入端的任何信号向上平移相同的幅度;以 3.3V/2 = 1.65V 为中心的信号将同时以 5.0V/2 = 2.50V 为中心。左上方的电阻限制了来自 5V 电路的电流。

技巧十六:5V→3.3V有源模拟衰减器

幸运28 此技巧使用运算放大器衰减从 5V 至 3.3V 系统的信号幅值。

要将 5V 模拟信号转换为 3.3V 模拟信号,最简单的方法是使用 R1:R2 比值为 1.7:3.3 的电阻分压器。然而,这种方法存在一些问题。

1)衰减器可能会接至容性负载,构成不期望得到的低通滤波器。

2)衰减器电路可能需要从高阻抗源驱动低阻抗负载。

无论是哪种情形,都需要运算放大器用以缓冲信号。

所需的运放电路是单位增益跟随器 (见图 16-1)。

电路输出电压与加在输入的电压相同。

为了把 5V 信号转换为较低的 3V 信号,我们只要加上电阻衰减器即可。

如果电阻分压器位于单位增益跟随器之前,那么将为 3.3V 电路提供最低的阻抗。此外,运放可以从3.3V 供电,这将节省一些功耗。如果选择的 X 非常大的话, 5V 侧的功耗可以最大限度地减小。

如果衰减器位于单位增益跟随器之后,那么对 5V源而言就有最高的阻抗。运放必须从 5V 供电,3V 侧的阻抗将取幸运28决于 R1||R2 的值。

技巧十七:5V→3.幸运283V模拟限幅器

在将 5V 信号传送给 3.3V 系统时,有时可以将衰减用作增益。如果期望的信号小于 5V,那么把信号直接送入 3.3V ADC 将产生较大的转换值。当信号接近 5V 时就会出现危险。所以,需要控制电压越幸运28限的方法,同时不影响正常范围中的电压。这里将讨论三种实现方法。

1. 使用二极管,钳位过电压至 3.3V 供电系统。

2. 使用齐纳二极管,把电压钳位至任何期望的电压限。

3. 使用带二极管的运算放大器,进行精确钳位。

进行过电压钳位的最简单的方法,与将 5V 数字信号连接至 3.3V 数字信号的简单方法完全相同。使用电阻和二极管,使过量电流流入 3.3V 电源。选用的电阻值必须能够保护二极管和 3.3V 电源,同时还不会对模拟性能造成负面影响。如果 3.3V 电源的阻抗太低,那么这种类型的钳位可能致使3.3V 电源电压上升。即使 3.3V 电源有很好的低阻抗,当二极管导通时,以及在频率足够高的情况下,当二极管没有导通时 (由于有跨越二极管的寄生电容),此类钳位都将使输入信号向 3.3V 电源施加噪声。

为了防止输入信号对电源造成影响,或者为了使输入应对较大的瞬态电流时更为从容,对前述方法稍加变化,改用齐纳二极管。齐纳二极管的速度通常要比第一个电路中所使用的快速信号二极管慢。不过,齐纳钳位一般来说更为结实,钳位时不依赖于电源的特性参数。钳位的大小取决于流经二极管的电流。这由 R1 的值决定。如果 VIN 源的输出阻抗足够大的话,也可不需要 R1。

如果需要不依赖于电源的更为精确的过电压钳位,可以使用运放来得到精密二极管。电路如图 17-3所示。运放补偿了二极管的正向压降,使得电压正好被钳位在运放的同相输入端电源电压上。如果运放是轨到轨的话,可以用 3.3V 供电。

由于钳位是通过运放来进行的,不会影响到电源。

运放不能改善低电压电路中出现的阻抗,阻抗仍为R1 加上源电路阻抗。

技巧十八:驱动双极型晶体管

在驱动双极型晶体管时,基极 “驱动”电流和正向电流增益 (Β/hFE)将决定晶体管将吸纳多少电流。如果晶体管被单片机 I/O 端口驱动,使用端口电压和端口电流上限 (典型值 20 mA)来计算基极驱动电流。如果使用的是 3.3V 技术,应改用阻值较小的基极电流限流电阻,以确保有足够的基极驱动电流使晶体管饱和。

RBASE的值取决于单片机电源电压。公式18-1 说明了如何计算 RBASE。

如果将双极型晶体管用作开关,开启或关闭由单片机 I/O 端口引脚控制的负载,应使用最小的 hFE规范和裕度,以确保器件完全饱和。

3V 技术示例:

对于这两个示例,提高基极电流留出裕度是不错的做法。将 1mA 的基极电流驱动至 2 mA 能确保饱和,但代价是提高了输入功耗。

技巧十九:驱动N沟道MOSFET晶体管

在选择与 3.3V 单片机配合使用的外部 N 沟道MOSFET 时,一定要小心。MOSFET 栅极阈值电压表明了器件完全饱和的能力。对于 3.3V 应用,所选 MOSFET 的额定导通电阻应针对 3V 或更小的栅极驱动电压。例如,对于具有 3.3V 驱动的100 mA负载,额定漏极电流为250 μA的FET在栅极 - 源极施加 1V 电压时,不一定能提供满意的结果。在从 5V 转换到 3V 技术时,应仔细检查栅极- 源极阈值和导通电阻特性参数,如图 19-1所示。稍微减少栅极驱动电压,可以显著减小漏电流。

对于 MOSFET,低阈值器件较为常见,其漏-源电压额定值低于 30V。漏-源额定电压大于 30V的 MOSFET,通常具有更高的阈值电压 (VT)。

如表 19-1 所示,此 30V N 沟道 MOSFET 开关的阈值电压是 0.6V。栅极施加 2.8V 的电压时,此MOSFET 的额定电阻是 35 mΩ,因此,它非常适用于 3.3V 应用。

对于 IRF7201 数据手册中的规范,栅极阈值电压最小值规定为 1.0V。这并不意味着器件可以用来在1.0V 栅 - 源电压时开关电流,因为对于低于 4.5V 的VGS (th),没有说明规范。对于需要低开关电阻的 3.3V 驱动的应用,不建议使用 IRF7201,但它可以用于 5V 驱动应用。

原文标题:单片机幸运285V转3.3V电平的19种方法技巧!

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     小弟最近在学HC-05蓝牙模块,遇到了这样一个问题:我利用手机从蓝牙发数据给HC-05,HC-05通过us...
发表于 04-24 01:54 22次 阅读
请问HC-05蓝牙模块在透传模式怎么获取传来的数据?

请问有可以通过wifi传输单片机参数的app吗 ?

就是我用单片机检测到了温湿度,我想把这个参数传到手机app上显示。...
发表于 04-24 01:44 21次 阅读
请问有可以通过wifi传输单片机参数的app吗 ?

如何使用DDS进行实用信号发生器的设计论文说明

信号发生器在实验室和电子领域的使用频率很高,在教学科研、生产、過感巡测等众多场合都有着广泛的应用。随....
发表于 04-23 16:15 19次 阅读
如何使用DDS进行实用信号发生器的设计论文说明

单片机开发与典型应用设计PDF电子书免费下载

80年代初我国开始应用单片机,H前已普及到各行各业,逐渐形成多国单片机互相竞争的局面,正朝着多系列、....
发表于 04-23 08:00 24次 阅读
单片机开发与典型应用设计PDF电子书免费下载

GY-291 ADXL345数字三轴重力加速度倾斜度模块的资料合集免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是GY-291 ADXL345数字三轴重力加速度倾斜度模块的资料合集免费下....
发表于 04幸运28-23 08:00 17次 阅读
GY-291 ADXL345数字三轴重力加速度倾斜度模块的资料合集免费下载

使用单片机进行秒表系统的设计资料说明

1) 用AT89C52设计一个四位LED数码显示秒表,显示时间为00:00 - 59:59 ,每秒自....
发表于 04-23 08:00 30次 幸运28 阅读
使用单片机进行秒表系统的设计资料说明

单片机设计的电磁兼容性解决方案

PCB是单片机系统中电路元件和器件的支撑件,它提供电路元件和器件之间的电气连接。随着电子技术的飞速发....
发表于 04-22 14:44 104次 阅读
单片机设计的电磁兼容性解决方案

单片机控制专用播放板使用手册

本产品是一款集视频解码、音乐播放、图片浏览、电子书阅读、外置 U 盘/移动硬盘、内存卡于一体的多媒体....
发表于 04-22 08:00 34次 阅读
单片机控制专用播放板使用手册

如何学习单片机和电子电路详细资料概述

很多单片机初学者问我的第一句话都是:怎样才能学好单片机?今天,我就结合我自己是如何开始学习单片机的,....
发表于 04-22 08:00 81次 阅读
如何学习单片机和电子电路详细资料概述

51单片机的学习步骤

从刚开始接触单片机,到现在已经有4年的时间了,在这期间学习和使用了51单片机、飞思卡尔单片机,LPC....
发表于 04-20 09:03 206次 阅读
51单片机的学习步骤

STC单片机参考程序资料免费下载

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发表于 04-19 17:20 86次 阅读
STC单片机参考程序资料免费下载

MSP430单片机的开发总结详细资料免费下载

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发表于 04-19 17:02 88次 阅读
MSP430单片机的开发总结详细资料免费下载

MCUTool超级单片机工具应用程序免费下载

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发表于 04-19 17:02 43次 阅读
MCUTool超级单片机工具应用程序免费下载

单片机的接口技术与可靠性设计的详细资料说明

本文介绍了 ESD 的基础知识及其危害,并且提出了使用 ESD 保护器件的解决方案。为了便于用户学习....
发表于 04-19 08:00 33次 阅读
单片机的接口技术与可靠性设计的详细资料说明

LM78XX系列三端正稳压器的数据手册免费下载

LM78xx系列的三端正稳压器可用于TO-220/D-PAK封装中,并具有几个固定的输出电压,使其在....
发表于 04-19 08:00 47次 阅读
LM78XX系列三端正稳压器的数据手册免费下载

郭天祥10天学会单片机的电路原理图免费下载

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发表于 04-19 08:00 103次 阅读
郭天祥10天学会单片机的电路原理图免费下载

LA5735MC 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

信息 LA5735MC是一个单独激励的降压型开关稳压器(可变型)。 时基发生器(300kHz)合并。 电流限制器合并。 内置热关断电路。
发表于 04-18 20:17 8次 阅读
LA5735MC 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

L88M05T 线性稳压器(LDO),17 V,5 V / 0.5 A.

信息 L88M05T是低压差线性稳压器IC,输出电流为0.5 A.因为它们可以在低输入输出电压差下工作,它们有助于更小和更多高效设置电源,是视听和办公自动化设备的最佳选择。 输出电压:5V 500 mA输出电流 低最小输入输出电压差(0.4V典型值)可以节省能源并使变压器尺寸小型化。 使用紧凑型TP-3H电源组件可以使设备尺寸小型化。 板上的表面安装允许允许的功率 通过各种成型产品增强安装灵活性。...
发表于 04-18 20:17 13次 幸运28 阅读
L88M05T 线性稳压器(LDO),17 V,5 V / 0.5 A.

USB1T1105A 带稳压器的通用串行总线外设收发器

信息USB1T1105A是一款符合通用串行总线规范2.0版的收发器。 该器件可为全速(12Mbit/s) USB应用提供USB接口。 USB1T1105A可提供出色的灵活性,允许差分和单端输入,同时集成稳压器将I/O电平设置为1.65V至3.6V。 利用5.0V至3.3V集成稳压器,可以直接从USB主机(V)驱动元件,以降低从本地源消耗、而用于低电源电压器件的功率。 USB1T1105A对USB总线引脚(D+/D-)提供15kV静电放电(ESD)保护。 这样就不需要任何外部静电放电(ESD)器件,同时还可以为更大、更昂贵的专用集成电路(ASIC)和USB控制器提供出色的保护。 符合通用串行总线规范2.0 5V至3.3V集成稳压器用于驱动视频总线 利用数字输入和输出传输和接收USB电缆数据 支持全速12Mbits/s速度数据速率 适用于便携式电子设备 15kV总线引脚触点HBM ESD保护 3.3mm无引线封装 工业标准HBCC封装,无铅...
发表于 04-18 20:12 10次 阅读
USB1T1105A 带稳压器的通用串行总线外设收发器

TPS71525-DIE 单路输出 LDO、50mA、固定电压 (2.5V)、高输入电压、低静态电流

信息描述 The TPS71525 low-dropout (LDO) voltage regulator offers the benefits of high input voltage, low-dropout voltage, low-power operation, and miniaturized packaging. The TPS71525, which operates over an input range of 2.5 V to 24 V, is stable with any capacitor (≥ 0.47 µF). The low-dropout voltage and low quiescent current allow operations at extremely low power levels. Therefore, the TPS71525 is ideal for powering battery management ICs. Specifically, since the TPS71525 is enabled as soon as the applied voltage reaches the minimum input voltage, the output is quickly available to power continuously operating battery charging ICs.The usual PNP pass transistor has been replaced by a PMOS pass element. Because the PMOS pass element behaves as a low-value resistor, the low-dropout voltage, typically 415 mV at 50 mA of load current, is directly proportional to the load current. The low quiescent current is stable over the entire range o...
发表于 04-18 20:06 11次 阅读
TPS71525-DIE 单路输出 LDO、50mA、固定电压 (2.5V)、高输入电压、低静态电流

TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

信息描述 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。该器件具备全集成特性,并且采用小尺...
发表于 04-18 20:05 12次 阅读
TPS54116-Q1 具有 4A/2MHz VDDQ DC/DC 转换器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽车类 DDR 电源解决方案

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 10次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

信息描述The TPS51116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18,DDR3/SSTL-15, and LPDDR3 memory systems. It integrates a synchronous buckcontroller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered lownoise reference. The TPS51116 offers the lowest total solution cost in systemswhere space is at a pr幸运28emium. The TPS51116 synchronous controller runs fixed400-kHz, pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that canbe configured in D-CAP Mode for ease of use and fastest transient response or incurrent mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDOmaintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramicoutput capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally tosignificantly reduce the total power losses. The TPS51116 supports all of thesleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) an...
发表于 04-18 20:05 12次 阅读
TPS51116 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

信息描述 TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨 VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V VTT 端接稳压器输出电压范围:0.5V 至 0.9V 2A 峰值灌电流和拉电流 仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容 ±20mV 精度VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度 10mA 灌/拉电流支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 ...
发表于 04-18 20:05 14次 阅读
TPS51206 具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器

1N5925B 10 V,3.0 W齐纳二极管电压稳压器

信息这是一套完整系列的3.0瓦齐纳二极管稳压器,具有严格的限制和更好的工作特性,能够反映氧化硅钝化结的卓越性能。所有这些都采用轴向引线,传递模塑塑料封装,可在所有常见环境条件下提供保护。 齐纳电压范围 - 3.3 V至200 V 3级ESD防护等级(> 16 KV)每个人体模型 浪涌额定值为98瓦@ 1毫秒 最多六个电气参数保证的最大限制 包装不大比传统的1瓦包装 机械特性:表壳:无空隙,传递模塑,热固性塑料 表面处理:所有外表面均耐腐蚀且导线易于焊接 用于焊接目的的最高引线温度:230°C,1/16,从外壳中持续10秒 极性:极性带指示的阴极 安装位置:任意 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:00 10次 阅读
1N5925B 10 V,3.0 W齐纳二极管电压稳压器

BQ27541-G1 具有集成 LDO 的电池组端 Impedance Track 电池电量监测

信息 Texas仪器bq27541-G1锂离子电池电量计是一种微控制器外围设备,可为单节锂离子电池组提供电量计量。该器件几乎不需要系统微控制器固件开发来实现精确的电池电量计量bq27541-G1位于电池组内或系统主板上,带有嵌入式电池(不可拆卸)。 bq27541-G1使用获得专利的Impedance Track™算法进行电量计量,并提供剩余电池容量(mAh),充电状态(%)等信息,运行时间为空(最小),电池电压(mV)和温度(°C)。它还提供内部短路或制表断开事件的检测。 bq27541-G1还使用SHA-1 / HMAC认证算法集成了对安全电池组认证的支持 优势特点 用于1系列(1sXp)锂离子电池应用的电池电量计32Ahr容量 微控制器外设提供: 精确的电池电量计支持高达32Ahr 用于电池温度报告的内部或外部温度传感器 SHA-1 / HMAC认证 终身数据记录 > 64字节的非易失性划痕垫FLASH 基于专利阻抗跟踪技术的电池电量计量 模型电池放电曲线,用于准确的时间到空预测 自动调整电池老化,电池自放电,&n温度/速率低效 低值检测电阻(5mΩ至20mΩ) 高级电量计功能 内部短暂检测 标签断开检测 ...
发表于 04-18 19:10 8次 阅读
BQ27541-G1 具有集成 LDO 的电池组端 Impedance Track 电池电量监测

TPS71550-DIE 单路输出 LDO、50mA、固定电压 (5.0V)、高输入电压、低静态电流

信息描述 TPS71550 低压降 (LDO) 电压稳压器提供了高输入电压、低压降电压、低功耗运行、和微型化封装所具有的优势。 TPS71550,运行在一个5V至 24V 的输入电压范围内,与任何电容器 (≥0.47µF) 一起工作时保持稳定。 低压降电压和低静态电流使得此器件能够运行在极低的功耗水平上。 因此,TPS71550非常适合于为电池管理集成电路 (IC) 供电。 特别是,由于TPS71550在其上的电压达到最低输入电压时即可启用,所以输出可以快速为电池充电 IC 的运行持续供电。 已经用一个 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (PMOS) 导通元件取代了常用的三极管 (PNP) 导通晶体管。 由于 PMOS 运行为一个低值电阻器,负载电流50mA 时 415mV(典型值)的低压降电压与负载电流直接成比例。 在整个输出负载电流范围内,低静态电流保持稳定。特性 24V 最大输入电压 低静态电流 低压降稳压器 提供5V版本的器件 最小/最大额定电流限制...
发表于 04-18 19:06 47次 阅读
TPS71550-DIE 单路输出 LDO、50mA、固定电压 (5.0V)、高输入电压、低静态电流

TPS71530-DIE 单路输出 LDO、50mA、固定电压 (3.0V)、高输入电压、低静态电流

信息描述 TPS71530 低压降 (LDO) 电压稳压器提供了高输入电压、低压降电压、低功耗运行、和微型化封装所具有的优势。 TPS71530,运行在一个3V至 24V 的输入电压范围内,与任何电容器 (≥0.47µF) 一起工作时保持稳定。 低压降电压和低静态电流使得此器件能够运行在极低的功耗水平上。 因此,TPS71530非常适合于为电池管理集成电路 (IC) 供电。 特别是,由于TPS71530在其上的电压达到最低输入电压时即可启用,所以输出可以快速为电池充电 IC 的运行持续供电。 已经用一个 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (PMOS) 导通元件取代了常用的三极管 (PNP) 导通晶体管。 由于 PMOS 运行为一个低值电阻器,负载电流50mA 时 415mV(典型值)的低压降电压与负载电流直接成比例。 在整个输出负载电流范围内,低静态电流保持稳定。特性 24V 最大输入电压 低静态电流 低压降稳压器 提供3V版本的器件 最小/最大额定电流限制...
发表于 04-18 19:06 51次 阅读
TPS71530-DIE 单路输出 LDO、50mA、固定电压 (3.0V)、高输入电压、低静态电流

TLV431 低压精密可调分流稳压器

信息 TLV431系列器件是精密低压并联稳压器,可在1.24V至16V的宽电压范围内进行编程.TLV431A系列具有1.0的保证参考精度在-40°C至85°C的整个工业温度范围内,25°C时的百分比和2.0%。对于TLV431B系列,精度分别为0.5%和1.0%。对于TLV431C系列,精度为0.2%,这些器件具有极低的电流导通特性,在100mA至20mA的工作电流范围内具有0.20的低动态阻抗。这一特性的组合使该系列成为齐纳二极管的绝佳替代品。多个应用电路需要精确的参考电压。当与光耦合器配合使用时,TLV431可用作误差放大器,用于控制隔离低输出电压(3.0V至3.3V)开关电源中的反馈环路。这些器件可用在经济上适用于TO-92和微型尺寸TSOP-5和SOT23-3封装。 电压参考容差+/- 1.0% 急剧低电流导通特性 低动态输出阻抗为0.20 W,从100 A至20 mA 可编程输出电压范围为1.24 V至16 V 微型微型TSOP-5和TO-92封装 无铅封装可用 A = 1.0%公差Vref B = 0.5%公差Vref C = 0.2%公差Vref < / DIV>电路图、引脚图和封装图...
发表于 04幸运28-18 19:06 11次 幸运28 阅读
TLV431 低压精密可调分流稳压器

LA6571 功率放大器,5通道驱动器,内置稳压器

信息 LA6571是用于迷你磁盘和光盘应用的5通道驱动器(BTL-AMP:5通道)。 功率放大器5通道内置。 IO max:1 A 内置电平转换电路。 静音电路(输出ON / OFF),内置三个电平通道(2-2-1)。 (对于MUTE1:CH1和2,MUTE2:CH3和4以及MUTE3:CH5中的每一个独立操作。不适用于稳压器(REG)) 内置稳压器(REG)(外部PNP晶体管)。 带外部电阻的电压设置(典型值:1.5V或更高) 过热保护电路(热关机)内置。...
发表于 04幸运28-18 19:04 8次 阅读
LA6571 功率放大器,5通道驱动器,内置稳压器

LA5774MP 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

信息 LA5774MP是一个单独激励的降压开关稳压器(可变型)。 效率高 只有四个外部元件 集成160 kHz时基发生器 集成电流限制器 集成热关断电路 集成软启动电路
发表于 04-18 19:04 6次 阅读
LA5774MP 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

LA5744TP 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

信息 LA5744TP是一个单独激励的降压型开关稳压器(可变型)。 高效率 集成300 kHz时间基础发电机 集成电流限制器 集成热关断电路 集成软启动电路
发表于 04-18 19:04 8次 幸运28 阅读
LA5744TP 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

LA5756 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

信息 LA5756是一个单独激励的降压开关稳压器(可变型)。 效率高 仅四个外部零件 集成80 kHz时基发生器 集成限流电路 集成热关断电路 集成软启动电路
发表于 04-18 19:04 6次 阅读
LA5756 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

LA5757TP 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

信息单独激励的降压开关稳压器(可变类型) 效率高 仅需要四个外部部件 集成300 kHz时基发生器 集成电流限制器 集成热关断电路 集成软启动电路
发表于 04-18 19:04 8次 阅读
LA5757TP 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

LA5759 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

信息 LA5759是一个单独激励的降压开关稳压器(可变型)。 效率高 仅四个外部零件 集成80 kHz时基发生器 集成电流限制器 集成热关断电路 集成软启动电路
发表于 04-18 19:04 6次 幸运28 阅读
LA5759 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

LA5724MC 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

信息 LA5724MC是一个单独激励的降压型开关稳压器(可变型)。 时基发生器(160kHz)合并。 电流限制器合并。 内置热关断电路。
发表于 04幸运28-18 19:04 8次 阅读
LA5724MC 单独激励的降压开关稳压器(可变型)

单片机浮点数的运算原理及表达方式

浮点数也有各种各样表示有符号数的方法,其中数的符号常和尾数放在一起,即把士M作为一个有符号的小数,它....
发表于 04-18 15:38 81次 幸运28 阅读
单片机浮点数的运算原理及表达方式

新唐N76E003评估板的用户手册和电路原理图等资料合集免费下载

nutiny-sdk-n76e003是8位高性能1T 8051单片机n76e003系列的专用开发工具....
发表于 04-18 08:00 41次 阅读
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如何使用CC2530单片机进行多点温度采集系统的设计实验说明

多点温度采集有利于分析整个设备或系统的温度,改善被控温度的技术指 标,提高产品的质量和数量,因而,....
发表于 04-18 08:00 70次 阅读
如何使用CC2530单片机进行多点温度采集系统的设计实验说明

STKNX收发器有多强大?

STKNX的另一个重要特点是硅片上有两只稳压器。第一只稳压器是3.3 V / 5 V,20mA的线性....
的头像 意法半导体IPG 发表于 04-17 18:07 381次 阅读
STKNX收发器有多强大?

8279的数码显示器显示被按下的键的程序

8279 是键盘、显示专用接口芯片,一般来说,它可以带动 8 个LED数码显示器和 64 个按键。
发表于 04-17 17:28 39次 阅读
8279的数码显示器显示被按下的键的程序

strToInt和intToStr的定义和验证程序说明

本文档的主要内容详细介绍的是strToInt和intToStr的定义和验证程序说明
发表于 04-17 17:28 29次 阅读
strToInt和intToStr的定义和验证程序说明

51、MSP430、TMS、 STM32、PIC、AVR、STC主流单片机的性能特点对比

单片机现在可谓是铺天盖地,种类繁多,各个厂商们也在速度、内存、功能上各有特点,本文对51、MSP43幸运28....
发表于 04-17 17:28 72次 阅读
51、MSP430、TMS、 STM32、PIC、AVR、STC主流单片机的性能特点对比

STM32单片机位带操作的使用资料总结

51单片机估计都用过,可以单独对P1口的第一个IO进行操作,然而STM32是不允许这样做的,为了像5....
发表于 04-17 17:28 49次 阅读
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如何使用Mac环境51开发环境来搭载brew和sdcc及stcgal

本文档的主要内容详细介绍的是如何使用Mac环境51开发环境来搭载brew和sdcc及stcgal。
发表于 04-17 17:28 40次 幸运28 阅读
如何使用Mac环境51开发环境来搭载brew和sdcc及stcgal

使用单片机IO口接开关三极管为什么限流电阻较小的时候无法驱动负载

关于以下问题的不完全解答:1、对于NPN型管,高电平驱动。基极电阻与单片机IO内部上拉电阻为串联,增....
发表于 04-17 17:28 78次 阅读
使用单片机IO口接开关三极管为什么限流电阻较小的时候无法驱动负载

使用单片机控制LCD1602显示时间并具有暂停启动功能的程序

本文档的主要内容详细介绍的是使用单片机控制LCD1602显示时间并具有暂停启动功能的程序。
发表于 04-17 17:28 52次 阅读
使用单片机控制LCD1602显示时间并具有暂停启动功能的程序

使用CT107D单片机编写的控制共阳数码管的程序

本文档的主要内容详细介绍的是使用CT107D单片机编写的控制共阳数码管的程序免费下载。
发表于 04-17 17:28 36次 阅读
使用CT107D单片机编写的控制共阳数码管的程序

串行通信的介绍及串行通信的应用说明

串行是与并行想对应的,并行通信是指数据的各位同时被传送。串行通信是将要传送的数据一位位的依次顺序发送....
发表于 04-17 17:28 37次 幸运28 阅读
串行通信的介绍及串行通信的应用说明

51单片机的定时计数器的详细资料概述

振荡周期:为单片机提供定时信号的振荡源的周期(晶振周期或外加振荡周期) 状态周期:2个振荡周期为1....
发表于 04-17 17:28 51次 阅读
51单片机的定时计数器的详细资料概述

单片机与嵌入式系统实验教程之P1、P3 口的应用实验说明

一 、 实验目的 1.掌握 P3 口、P1 口简单使用。 2.学习延时程序的编写和使用。二 、 实验....
发表于 04-17 17:28 65次 阅读
单片机与嵌入式系统实验教程之P1、P3 口的应用实验说明

单片机定时器和计数器的寄存器相关说明和应用实幸运28例详细概述

对于刚接触单片机的同学来说可能会对定时器/计数器的应用很蒙圈,特别是初值的计算和各种定时方式的选择。幸运28....
发表于 04-17 17:28 38次 幸运28 阅读
单片机定时器和计数器的寄存器相关说明和应用实例详细概述

单片机与嵌入式系统实验教程之电子钟实验的资料包括程序和电路图

发表于 04-17 17:28 42次 阅读
单片机与嵌入式系统实验教程之电子钟实验的资料包括程序和电路图

使用单片机实现音乐播放器的源代码程序免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是使用单片机实现音乐播放器的源代码程序免费下载。基于52单片机的源代码
发表于 04-17 17:28 43次 阅读
使用单片机实现音乐播放器的源代码程序免费下载

单片机和PLC到底有怎样的区别

个人认为,PLC和单片机有能完成一个特定的任务,实现起来的方式不一样。一个任务,用单片机来做,要根据....
发表于 04-17 17:28 156次 阅读
单片机和PLC到底有怎样的区别

刚学完单片机到底可以用来干什么

单片机,又称微处理器,它将一个系统所需要的RAM、Rom、CPU等相关外设集成在一块集成电路上,我们....
发表于 04-17 17:27 109次 阅读
刚学完单片机到底可以用来干什么

开路检测电路中的集成稳压器

集成稳压器又叫集成稳压电路,将不稳定的直流电压转换成稳定的直流电压的集成电路, 用分立元件组成的稳压....
的头像 发烧友学院 发表于 04-17 16:04 213次 阅读
开路检测电路中的集成稳压器

如何在单片机串口中发送超过8位的数据

在做下位机通信时往往会用到串口,包括下位机将数据传输给上位机,或者是下位机与下位机之间进行数据传输,....
发表于 04-16 17:28 57次 阅读
如何在单片机串口中发送超过8位的数据

STC单片机软件上电不烧写如何解决

主要是软件方面,在保证硬件绝对不出问题但还是达不到烧写目的时候,可以试试这几种方式:
发表于 04-16 17:28 48次 阅读
STC单片机软件上电不烧写如何解决

使用单片机进行汽车转向灯控制器的汇编语言程序和电路图

题目:汽车转向灯控制器的编程 ;1号键(左转向)按下时 实现P3.6闪亮,P0-P2口左流水; ;2....
发表于 04-16 17:28 100次 幸运28 阅读
使用单片机进行汽车转向灯控制器的汇编语言程序和电路图
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