幸运28

张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,👉戳此立抢👈

关于Microchip PIC24F Android 附件开发平台的介绍

Microchip视频 2018-07-10 11:46 次阅读
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

AI机器人、蓝牙与Android应用开发技术

直播简介及亮点:      在开发多机器人的协同应用时,各机器人产品往往来自不同的厂商,各
发表于 11-07 00:00 511次 阅读
AI机器人、蓝牙与Android应用开发技术

你知道Android可以创建和控制Service?

在多数情况下,你还需要重写onStart方法,这个方法在Service通过startService启幸运28....
发表于 04幸运28-25 16:56 8次 阅读
你知道Android可以创建和控制Service?

Microchip推出首款基于Arm®内核的单片机——SAMV71Q21RT耐辐射单片机和SAMRH71抗辐射单片机

SAMV71Q21RT和SAMRH71允许软件开发人员在迁移到宇航级元件之前着手使用SAMV71 C幸运28....
的头像 Excelpoint幸运28世健 发表于 04-25 11:37 55次 幸运28 阅读
Microchip推出首款基于Arm®内核的单片机——SAMV71Q21RT耐辐射单片机和SAMRH71抗辐射单片机

PIC24FJ256GB406 D幸运28AC输出问题

嗨,我正在利用PIC24FJ256GB406的DAC来转换我从加速度计接收的数据,并且我用示波器看到输出的信号。问题是,只有在高...
发表于 04-25 10:45 5次 阅读
PIC24FJ256GB406 DAC输出问题

Android开发人员必备的10个开发工具

该工具包含很多重要的功能,包括管理不同的 Android SDK 版本(构建目标),你知道的 And....
发表于 04-24 16:39 21次 阅读
Android开发人员必备的10个开发工具

10个关于Android开发的实用教程

这篇文章介绍了怎样使用Eclipse来创建Android的应用程序。这篇教程非常长,但同时也非常详细....
发表于 04-24 16:28 19次 阅读
10个关于Android开发的实用教程

你知道Android的架构设计原则?

经过一段时间收集了大量反馈意见后,我认为应该来说说这个话题了。我会在这里给出我认为构建现代移动应用(幸运28....
发表于 04-24 16:20 21次 阅读
你知道Android的架构设计原则?

给初幸运28学者的 Android 加密工具

越来越多的黑客盯上了移动应用,每天都会增加,因为移动应用中有黑客感兴趣的东西,如用户数据。硬编码(H....
发表于 04-24 15:53 18次 阅读
给初学者的 Android 加密工具

Android Fragment生命周期—多屏支持

在使用Fragment之前,Fragment的生命周期是一个需要关心的问题。目前,要想在Androi....
发表于 04-24 15:51 17次 阅读
Android Fragment生命周期—多屏支持

十大Android设计趋势

官方目前给出的两个形象色参数: pms 376c ( 标准印刷色卡),Online hex #A4C....
发表于 04-24 15:48 9次 幸运28 阅读
十大Android设计趋势

Android N混合使用AOT编译,解释和JIT三种运行时

Android N引入了一种包含编译、解释和JIT(Just In Time)的混合运行时,以便在安....
发表于 04-24 15:37 7次 阅读
Android N混合使用AOT编译,解释和JIT三种运行时

Android开发者应该知道的Kotlin

Android开发者在语言限制方面面临着一个困境。众所周知,目前的Android开发只支持Java ....
发表于 04幸运28-24 15:32 16次 幸运28 阅读
Android开发者应该知道的Kotlin

详细解答Android消息机制

在Android程序运行中,线程之间或者线程内部进行信息交互时经常会使用到消息,如果我们熟悉这些基础....
发表于 04-24 15:30 11次 阅读
详细解答Android消息机制

你知道Android动态加载技术三个关键问题?

动态加载技术(也叫插件化技术)在技术驱动型的公司中扮演着相当重要的角色,当项目越来越庞大的时候,需要....
发表于 04-24 15:25 12次 阅读
你知道Android动态加载技术三个关键问题?

奥利奥Android 8.0 正式发布

在美国月全食这天,Google 发布了 Android 新一代系统 Android 8.0,并确认新....
发表于 04-24 15:18 21次 阅读
奥利奥Android 8.0 正式发布

利用Docker环境加速Android应用的构建

极大的缩幸运28短安卓开发到测试到产品到渠道的距离。
发表于 04-24 15:15 14次 阅读
利用Docker环境加速Android应用的构建

Pic24F1024GB610 USB大容量存储问题

大家好,我们一直在摔跤的USB问题没有太大的成功。我们正在使用我们的PIC24F1024GB610的自定义硬件运行USB海量存储演...
发表于 04-24 15:06 14次 阅读
Pic24F1024GB610 USB大容量存储问题

告诉你该怎样自学Android

看到很多人提问非科班该如何学习编程,其实科班也基本靠自学。有句话叫“师傅领进门修行靠个人”,再厉害的....
发表于 04-24 15:00 10次 阅读
告诉你该怎样自学Android

安卓最新的改进,看看安卓一直怎样在速度上追赶 iOS

一直以来人们都有这样的印象,认为搭载iOS系统的iPhone一定比搭载Android系统的安卓手机流....
发表于 04-24 14:53 16次 阅读
安卓最新的改进,看看安卓一直怎样在速度上追赶 iOS

基于Android的Linux内核的电源管理:Early Suspend

显然,该函数执行后,会在生成/sys/power目录,该目录下会建立一系列属性文件,其中一个就是/s....
发表于 04-24 14:31 13次 阅读
基于Android的Linux内核的电源管理:Early Suspend

Android Oreo 内置回滚保护,禁止操作系统降级

Google 最新释出的新版 Android Oreo 被发现加入名为“回滚保护(Rollback ....
发表于 04-24 14:27 9次 阅读
Android Oreo 内置回滚保护,禁止操作系统降级

你知道And幸运28roid Apk的反编译和加密原理?

Android的应用程序APK文件说到底也是一个压缩文件,那么可以通过解压缩得打里面的文件内容,不过....
发表于 04-24 13:50 20次 阅读
你知道Android Apk的反编译和加密原理?

基于An幸运28droid的Linux内核的电源管理

Early Suspend和Late Resume是Android在标准Linux的基础上增加的一项....
发表于 04-24 13:47 15次 阅读
基于Android的Linux内核的电源管理

工程师需要了解的Android系统架构及内核

Android是Google公司开发的基于Linux平台的开源手机操作系统,它包括操作系统、中间件、幸运28....
发表于 04-24 13:44 16次 阅读
工程师需要了解的Android系统架构及内核

Android 桌面加载图标过程分析

WorkSpace:他是一个ViewGroup,要想在桌面上显示东西,就得往这个ViewGroup里....
发表于 04-24 11:57 30次 阅读
Android 桌面加载图标过程分析

AndroidQ或将加入向后滑动手势

谷歌在Android 9 Pie上首次引入手势控制时,许多的用户觉得这些手势控制还不成熟。用户只能单....
的头像 39度创意研究所 发表于 04-24 11:27 191次 阅读
AndroidQ或将加入向后滑动手势

寻一个能做ios幸运28/android手机外设的大牛,付费

最近在做一个安全app,想给手机加个硬件外设,有能做的大牛私聊, 有方案有想法的都可以来,博采众长! ...
发表于 04-23 21:10 37次 阅读
寻一个能做ios/android手机外设的大牛,付费

编译器优化打破了程序

嗨,所有,我的团队一直在为PIC24FA32 KA304固件工作几个月。我们的程序内存用完了,买了一个XC16编译器许可证来优化代...
发表于 04-23 14:27 14次 阅读
编译器优化打破了程序

怎么使用PIC24FJ64 GB00在4位模式下工作

在过去的几年里,我从易趣网获得了2×16的LCD。不用说,它们没有数据表,而且几乎没有识别标记。我有一个标记为“LCM1602G...
发表于 04-23 14:13 17次 阅读
怎么使用PIC24FJ64 GB00在4位模式下工作

面向Android平台的 PVRMonitor工具现已发布!

如果你参加了GDC 2019大会或者一直关注我们的动态,那么你可能已经听说或者看到了我们完全重新开发....
的头像 Imagination Tech 发表于 04-23 08:49 149次 阅读
面向Android平台的 PVRMonitor工具现已发布!

PIC24 PWM误导了手册中的差异

大家好。微调PWM在我的PIC24FJ64 GC66上的应用时,我遇到了PWM时序的两种不同的描述。首先在“PIC24家庭手册第1...
发表于 04-23 06:54 17次 阅读
PIC24 PWM误导了手册中的差异

DEMO Android4.4.2环境搭建

明远智睿MY-I.MX6-DEMO Android4.4.2环境搭建 1安装ubuntu12.04 ....
发表于 04幸运28-22 16:07 33次 阅读
DEMO Android4.4.2环境搭建

在MCC代码重新生成期间不断丢失工作

是否有人能如此好地解释你的点击,以便保留你在重新生成时对MCC生成的文件所做的更改?我刚刚丢失了一天的工作,因为我又搞错...
发表于 04-22 15:04 21次 阅读
在MCC代码重新生成期间不断丢失工作

SPI模式下的PIC24F MSSP模块

大家好,我的SPI通讯有点问题。当我在示波器上检查我的信号时,我没有CS,但是我可以看到我的数据和时钟。我把我的代码放在...
发表于 04-22 12:44 21次 阅读
SPI模式下的PIC24F MSSP模块

MLA Library错误

你好,我使用PIC24FJ256GB106和MPLABX IDE幸运28 V3.10和XC16编译器和MLA V2015Y08Y10。对于USB实现,我只...
发表于 04-22 09:59 54次 阅读
MLA Library错误

专访波士顿动力 CEO:要做机器人界的 Android,对赚钱也感兴趣

波士顿动力堪称是当今最受欢迎的机器人公司,其技术实力往往让人惊艳,每次一发视频就刷屏,几天前 10 ....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-20 11:29 508次 阅读
专访波士顿动力 CEO:要做机器人界的 Android,对赚钱也感兴趣

使用PIC24和ENC28J60在MacInit期间出现问题

你好朋友,我是新来的幸运28论坛,但我已经与PIC一起发展了6年。我有一个我无法解决的问题,这正是这个话题的主题。我使用的是PIC...
发表于 04-19 14:22 35次 阅读
使用PIC24和ENC28J60在MacInit期间出现问题

AndroidQ体验 在UI界面上的变化并不大

Android Q的首个Beta版于3月14日凌晨正式发布,目前谷歌旗下所有Pixel系列手机均可体....
的头像 39度创意研究所 发表于 04-19 09:46 213次 阅读
AndroidQ体验 在UI界面上的变化并不大

VP0104 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-40V,8.0欧姆

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;免于二次故障 低功率驱动要求 易于并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:11 0次 阅读
VP0104 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-40V,8.0欧姆

TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 TP5322是一款低阈值增强型(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。 高输入阻抗 低阈值(最高-2.4V) 低输入电容(最大110pF) 快速切换速度 低导通电阻 低输入和输出泄漏 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 0次 阅读
TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,15欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 0次 阅读
TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,15欧姆

TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,25欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 0次 阅读
TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-400V,25欧姆

TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

信息 TP5335是一款低阈值增强型(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动器要求 Ease of并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 0次 阅读
TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 0次 阅读
TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04幸运28-18 20:04 0次 阅读
TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 0次 阅读
TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 0次 幸运28 阅读
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 0次 阅读
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 0次 阅读
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 0次 阅读
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 8次 阅读
TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP幸运280620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 7次 幸运28 阅读
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 7次 阅读
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 14次 阅读
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensur幸运28ed。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 8次 阅读
TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 12次 阅读
TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 16次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 14次 阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

51单片机使用HC-05蓝牙模块向Android手机发送数据程序编写的说明

51单片机是市面上比较普及的单片机种类,同时也深受广大电子爱好者的青睐。在51单片机的众多功能中串口....
发表于 04-15 18:24 36次 阅读
51单片机使用HC-05蓝牙模块向Android手机发送数据程序编写的说明

谷歌下一代旗舰产品 Pixel 4曝光,预装原生 Android Q系统

今天,据Phone Arena报道,谷歌软件工程师在评论中提到了Pixel 4,这也是谷歌第一次提及....
的头像 科技美学 发表于 04-15 15:36 247次 阅读
谷歌下一代旗舰产品 Pixel 4曝光,预装原生 Android Q系统

基于Microchip的低成本高精度电流检测方案

BMS(Battery Management System)是连接新能源车核心部件电池与整车的桥梁。....
发表于 04-15 15:35 259次 阅读
基于Microchip的低成本高精度电流检测方案

Googl幸运28e发布下一代Android操作系统开发者测试版,代号名Android Q

率先折叠屏适配
的头像 科技美学 发表于 04-11 15:58 450次 阅读
Google发布下一代Android操作系统开发者测试版,代号名Android Q

高通公司和瑞士电信2019年将在欧洲推出5G网络和Android智能手机

高通称支持瑞士电信的所有设备制造商都使用了高通的5G解决方案。 OPPO和LG的5G手机以及Aske....
发表于 04-11 09:10 183次 阅读
高通公司和瑞士电信2019年将在欧洲推出5G网络和Android智能手机

国外用户也不能幸免,多幸运28款Android TV智能电视加入广告

国内用户对于智能电视上插入广告内容可能已经习惯了,但国外用户可能还没有。
的头像 视听前线音响短评 发表于 04-09 09:10 517次 阅读
国外用户也不能幸免,多款Android TV智能电视加入广告

便携式超声波探鱼器的硬件电路设计详细资料说明

便携式超声波探鱼器是用于人们娱乐休闲近岸垂钓的探鱼设备,能方便地显示近岸地区鱼的数量、大小和位置。首....
发表于 04-09 08:00 52次 阅读
便携式超声波探鱼器的硬件电路设计详细资料说明

盘点诺基亚复苏之路5幸运28摄旗舰即将上市

相信很多从功能机时代走过来的人的回忆中都有一台诺基亚,提起诺基亚手机,那绝对是很多70,80,90年....
的头像 科技美学 发表于 04-05 14:50 469次 阅读
盘点诺基亚复苏之路5摄旗舰即将上市

摩托罗拉 你还会看吗?

摩托罗幸运28拉也是手机界的老牌厂商了,其经典的“Hellomoto”大家应该都记得。
的头像 科技美学 发表于 04-05 14:42 925次 阅读
摩托罗拉 你还会看吗?

AndroidP体验 系统流畅新的手势操作也很舒服

在5月8日举行的谷歌I/O大会上,最新的安卓系统Android P正式与我们见面。在公布的可首批体验....
的头像 39度创意研究所 发表于 04-04 11:07 348次 阅读
AndroidP体验 系统流畅新的手势操作也很舒服

谷歌发布AndroidQ的第二个测试版 继续对折叠屏适应

今天,谷歌悄无声息的发布了Android Q(也就是安卓10.0)的第二个测试版,主要来说是修正上一....
的头像 39度创意研究所 发表于 04幸运28-04 09:48 260次 阅读
谷歌发布AndroidQ的第二个测试版 继续对折叠屏适应

AndroidQ新功能前瞻

3月14日,Google发布了下一代Android操作系统的首个开发者测试版,目前的代号名为Andr....
的头像 39度创意研究所 发表于 04-04 09:27 257次 阅读
AndroidQ新功能前瞻

D801型8寸人脸识别机控制器应用使用说明书免费下载

D801型8寸人脸识控制器(简称闸机头)是基于 Android 操作系统下人脸识别闸机控制设备,集成....
发表于 04-04 08:00 60次 阅读
D801型8寸人脸识别机控制器应用使用说明书免费下载

嵌入式C语言编程与Microchip PIC电子书免费下载

本书全面系统地介绍了C语言编程技术及其在嵌入式微控制器中的应用,其中包括嵌入式C语言、PIC微控制器....
发表于 04-04 08:00 87次 阅读
嵌入式C语言编程与Microchip PIC电子书免费下载

安兔兔2019年3月Android手机性能榜发布 小米依旧屠榜

4月2日,安兔兔发布了2019年3月Android手机性能榜。上个月因为数量或者发布时间等原因缺席的....
的头像 39度创意研究所 发表于 04-03 09:05 614次 阅读
安兔兔2019年3月Android手机性能榜发布 小米依旧屠榜

Microchip全新dsPIC33CH512MP508双核DSC可为程序存储器

dsPIC33CH512MP508(MP5)系列对近期推出的dsPIC33CH进行了扩展,将存储器从....
的头像 Microchip微芯 发表于 03-28 17:13 1144次 阅读
Microchip全新dsPIC33CH512MP508双核DSC可为程序存储器

如何使用权限的Android进行应用风险评估方法的资料说明

针对Android权限机制存在的问题以及传统的应用风险等级评估方法的不足,提出了一种基于权限的And....
发表于 03-28 16:49 106次 阅读
如何使用权限的Android进行应用风险评估方法的资料说明

android工程师写java后台的经历

由于项目需要,应该是公司缺人手吧,项目经理的一句有人对javaWeb感兴趣么,就把这活接到了手中。以....
的头像 工程师人生 发表于 03-28 14:27 239次 阅读
android工程师写java后台的经历

Android工程师怎样自我提升

看到一篇文章中提到“最近几年国内的初级Android程序员已经很多了,但是中高级的Android技术....
的头像 工程师人生 发表于 03-28 14:13 250次 阅读
Android工程师怎样自我提升

Kanzi for Android: 为用户全方位打造最佳车内体验

车内空间的科技感与高格调正在成为用户们选购汽车时的关键要素,基于这一诉求,众多车厂纷纷发力汽车驾驶舱....
的头像 Thundersoft中科创达 发表于 03-28 09:11 212次 阅读
Kanzi for Android: 为用户全方位打造最佳车内体验

未来几年可能影响会议电话市场的一些趋势

例如,Microsoft最近开放了他们的Teams API,以便最终用户可以通过各种不同的供应商解决....
的头像 CTI论坛 发表于 03-27 15:55 709次 阅读
未来几年可能影响会议电话市场的一些趋势

华为正着手开发自己的操作系统

据报道成,华为早在 2012 年就已经开始规划研发自家的操作系统已防止日后市场局势出现的变故。但与此幸运28....
的头像 MCA手机联盟 发表于 03-27 11:41 753次 阅读
华为正着手开发自己的操作系统

语音报时V25APK安装包免费下载

本文档的主要内容是一个Android系统的语音报时V25APK安装包免费下载。
发表于 03幸运28-26 17:28 31次 阅读
语音报时V25APK安装包免费下载
国民彩票App | 盛大彩票网址 | 幸运28规律 | 好运快3遗漏 | 5分快3外挂 | 台湾宾果彩票 | 2分六合开奖 | 盛源彩票网址 | 万国彩票App | 永旺直播网址 | 美娱彩票注册 | 678彩票网址 | 728彩票网址 | 顺丰彩票App | 2分pk10大小 | 2分彩规律 | 手机购彩网址 | 乐购彩票App | 百乐彩注册 | 淘彩网App