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半导体工艺进步引领材料科技发展新方向,先进封装市场增长快

TechSugar 2019-04-11 09:18 次阅读

Dongshun Bai指出,半幸运28导体材料入门很容易,但做好很难,“半导体材料对技术的要求非常高,做半导体材料,必须要有多领域跨界的知识,才能做好。”

接近物理极限之后,半导体工艺的每一点进步,都会影响到半导体各个分支领域的技术发展方向。7纳米制造工艺引入EUV(极紫外光设备)设备,必须要为EUV制造工艺匹配相应的光刻胶。

“光刻最重要的就是三光,即光刻机、光源和光刻胶,这三光都做好,光刻就没有什么特别的地方,”Brewer Science亚洲营运总监汪士伟(Stanley Wong)告诉探索科技(TechSugar), 光刻过程中的“三光”做好并不容易,以光刻胶反射涂层为例,当光源照射在衬底上的时候如果发生发光,会造成驻波,从而导致刻蚀时线做不直,“在0.5微米工艺时代,有反光还能接受,但到0.25微米、0.18微米或90纳米工艺以后,如果反光控制不好,就无法完成光刻工艺。”

Brewer Science 主要业务

Brewer Science最初就是从光刻胶中的抗反射涂层(ARC)做起,从最基本的抗反射,到湿式ARF、干式ARF,以及多层材料(Multilayer)。“现在业界最热的就是EUV,我们在EUV上花了很多心思,甚至有员工派驻在IMEC,与全球最先进的半导体研发机构一起合作,开发EUV技术。”

汪士伟表示,除了EUV用光刻材料,Brewer Science还在研发另一条技术路径,即DSA(直接自组装,Directed Self-Assembly),EUV工艺已经实现量产,但无论是机台,还是材料,都非常昂贵,而DSA是相对低成本的解决方案。当然,现在DSA的问题是生态不如EUV完整,愿意在DSA上做投入的客户并不多,不过还是有一些客户在和Brewer Science探索DSA的可行性,“美国最大的那一家公司,还在和我们合作DSA的开发。我们在EUV上面投入了很多资源,但如果EUV碰到一些问题的时候,DSA也可以当做一个选项,鸡蛋不能放在一个篮子里面,这是我们的想法,这个产品(DSA)基本到目前为止证明还是可行的。”汪士伟说道。

Brewer Science员工获得最佳青年工程师论文奖

半导体工艺的发展也让晶圆制造与封装测试之间的结合越来越紧密,Brewer Science近年来在封装材料开发上投入了很大的资源。过去一年中,Brewer Science 在先进封装解决方案系列中新增了一些关键产品和服务。BrewerBOND® T1100 和 BrewerBOND® C1300 系列材料共同构成了 Brewer Science 首个完整、双层的临时键合和解键合系统。BrewerBUILD™ 薄式旋装封装材料专门用于重分布层 (RDL)——首款扇出型晶圆级封装 (FOWLP),Brewer Science 预计更多中国公司将会在不久的将来开始探索此工艺。

据Brewer Science晶圆级封装材料商务开发副总监Dongshun Bai介绍,Brewer Science在封装行业已经有超过15年的历史。从2000年左右开始,Brewer Science预见到半导体的未来的发展方向之一是先进封装,推出了一系列适合晶圆级先进封装的材料,例如化学解键合材料(Chemical Release)、热滑动解键合材料(Thermal Slide Release)、机械解键合(Mechnical Release)、激光解键合(Laser Release),以及双层粘式机械解键合(Dual-layer Adhesive Mechnical Release)。不同的解键合技术,对应不同的应用,“不同客户可能在做同一个产品,但其工艺路线不一样,所以每一个客户的需求,对Brewer Science来说都是新挑战,我们必须根据产品具体需求,来调配材料,保证客户需求的性能。在先进封装上,每一个应用都有其对应的特殊材质的工艺,这在先进封装上是非常重要的一点。”Dongshun Bai说道。

Dongshun Bai表示,晶圆级封装的键合/解键合技术面临的挑战越来越多。比如晶圆变得越来越薄,传统晶圆打薄至100微米,但50微米越来越普遍,甚至有些产品要求20微米以下厚度,这就要求键合工艺更精细,以防止晶圆破碎。

“临时键合(Temporary Bonding)听起来简单,但实际上里面的技术要求和后面制造工艺的要求真是层出不穷,是一个非常具有挑战性的领域。主要的挑战有三点。一是加工工程中产生的应力,包括机械应力和热应力;二是要有优良的抗化学性;三是优良的化学兼容性。整体来看,临时键合对材料的要求很高。”Dongshun Bai指出,半导体材料入门很容易,但做好很难,“半导体材料对技术的要求非常高,做半导体材料,必须要有多领域跨界的知识,才能做好。”

原文标题:Brewer Science:半导体工艺进步引领材料科技发展新方向,先进封装市场增长快

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A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 18次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和幸运28软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 18次 幸运28 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/幸运28 BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 20次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 22次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 22次 幸运28 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5幸运28 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 14次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

满足输入10V~20V直流输入,输出也为直流,输出电压12V,输出电流最大为5A的DCDC转换芯片

大侠们好,希望寻找一款满足输入10V~20V直流输入,输出也为直流,输出电压12V,输出电流最大为5A的DCDC转换芯片,用于电...
发表于 04幸运28-18 14:05 57次 幸运28 阅读
满足输入10V~20V直流输入,输出也为直流,输出电压12V,输出电流最大为5A的DCDC转换芯片

半导体三极管是如何工作幸运28的

PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
发表于 04-18 09:05 431次 阅读
半导体三极管是如何工作的

芯片之间的飞线没有了

原理图上芯片之间是有飞线的,但是pcb出来的时候就没有了。怎么处理, ...
发表于 04-18 07:36 52次 阅读
芯片之间的飞线没有了

请问lm3102MARK标示第一行是什么意思?

你好 我购买了两批次的LM3102芯片,它们的MARK标示的第一行分别是49CCY90、3CAV2JU,不知道它们幸运28有什么区别? &n...
发表于 04-18 07:25 56次 阅读
请问lm3102MARK标示第一行是什么意思?

请问TPS625幸运2890的SW和GND短路是怎么造成的?

是芯片烧了造成的吗?但是芯片没有发烫。还有如何判断这款芯片失效的原因?...
发表于 04幸运28-17 07:15 130次 阅读
请问TPS62590的SW和GND短路是怎么造成的?

请问有3V升压到20到30V的芯片推荐?

两节干电池即3V供电,输出功率希望能达到2W吧。MC34063好像输入电压最低3V,不能用。...
发表于 04-17 00:34 38次 阅读
请问有3V升压到20到30V的芯片推荐?
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